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93C66 Serial Access EEPROM [SOP-8]
https://www.microjpm.com/products/ad56045/
M borrable eléctricamente en serie (EEPROM), capaz de funcionar en un rango de 2.5V a 5.5V. Ha sido desarrollado para aplicaciones avanzadas de bajo consumo como comunicaciones personales o adquisición de datos. Este IC también tiene una capacidad
Especificación 219 kB
IRFZ44N MOSFET 60V @ 50A Canal - N
https://www.microjpm.com/products/irfz44n-fet/
s: - Encapsulado: TO-220AB - Voltajet Drenaje - Fuente: 55V - Voltaje Drenaje - Compuerta: 55V - Voltaje Compuerta - Fuente: 20V - Corriente Drenaje (DC): 35A - 49A - Corriente Drenaje Pico: 160A - Potencia: 110W - Temperatura de operación: -55 a +1
Especificación 219,6 kB
IRFZ44N MOSFET 60V @ 50A Canal - N
https://www.microjpm.com/products/irfz44n-fet/
s: - Encapsulado: TO-220AB - Voltajet Drenaje - Fuente: 55V - Voltaje Drenaje - Compuerta: 55V - Voltaje Compuerta - Fuente: 20V - Corriente Drenaje (DC): 35A - 49A - Corriente Drenaje Pico: 160A - Potencia: 110W - Temperatura de operación: -55 a +1
Especificación 219,6 kB
LM1117 (TO-220) Regulador Voltaje +3.3V
https://www.microjpm.com/products/lm1117-regulador-de-voltaje-bajo/
cificación 1: Encapsulado TO-220 Descripcion: La serie LM1117 de reguladores positivos ajustables y fijos está diseñada para proporcionar 800mA con alta eficiencia. Todos los circuitos internos están diseñados para operar hasta 1.3V de entrad
Especificación 218,7 kB
LM1117 (TO-220) Regulador Voltaje +3.3V
https://www.microjpm.com/products/lm1117-regulador-de-voltaje-bajo/
cificación 1: Encapsulado TO-220 Descripcion: La serie LM1117 de reguladores positivos ajustables y fijos está diseñada para proporcionar 800mA con alta eficiencia. Todos los circuitos internos están diseñados para operar hasta 1.3V de entrad
Especificación 218,7 kB
IRF540N Transistor MOSFET Canal-N 100V @ 28A
https://www.microjpm.com/products/ad43829/
Disponibilidad: En existencia Descripcion: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO
Especificación 217,6 kB
IRF540N Transistor MOSFET Canal-N 100V @ 28A
https://www.microjpm.com/products/ad43829/
Disponibilidad: En existencia Descripcion: Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO
Especificación 217,6 kB
IRF640N Power MOSFET N-Channel 200V @ 18A
https://www.microjpm.com/products/ad67122/
ctifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET
Especificación 218,3 kB
1N5221B @ 0.5W Diodo Zener 2.4V
https://www.microjpm.com/products/ad74238/
n de referencia o como un estabilizador de tensión para aplicaciones de baja corriente. Estos diodos están clasificados para un voltaje determinado con un máximo de 500mW. Documentos: taydaelectronics.com/datasheets/files/A-3398.PDF Etiquetas :
Especificación 217,8 kB
1N4729 @ 1W Diodo Zener 3.6V
https://www.microjpm.com/products/a1n4729-1w-diodo-zener-3-6v/
n de referencia o como un estabilizador de tensión para aplicaciones de baja corriente. Estos diodos están clasificados para un voltaje determinado con un máximo de 1W. Documentos: 1N4728_64 Datasheet.pdf (87567) Etiquetas : POS: 4C-5 | 1N4729
Especificación 217,8 kB
Elementos: 5101 - 5110 de 5150