IRF520N Transistor MOSFET Canal-N 100V @ 9.7A
| Producto nº: | AD3736 |
| Tu precio: | US$1,60 |
| No. de artículos en existencia: | 50 |
| Disponibilidad: | En existencia |
Descripción:
Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220 se prefiere universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de energía. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
Características:
- Modelo: IRF520N
- Paquete / Cubierta: TO-220
- RoHS: Sí
- Polaridad del transistor N-Channel
- Voltaje drenaje-fuente: 100V
- Voltaje compuerta-fuente: 20V
- Corriente continua de drenaje: 9.7A
- Estilo de montaje: Through Hole
- Puerta de carga Qg: 16.7 nC
- Disipación de energía: 48 W
Para mas detalles ver hoja de datos: