IRF4905 Power MOSFET P-Channel -55V @ -74A

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IRF4905 Power MOSFET P-Channel -55V @ -74A

Descripción:

HEXFET's de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y diseño de dispositivo robusto de HEXFET Power MOSFET son bien conocidos, proporcionan al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El paquete TO-220 es universalmente preferido por todas las aplicaciones comerciales-industriales por los niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia  térmica y bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en todo la industria.

Para más detalles ver hoja de datos: IRF4905 Datasheet.PDF (118094)

 

HEXFET de quinta generación de International Rectifier
utilizar técnicas de procesamiento avanzadas para lograr
Resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este
beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y
diseño de dispositivo robusto que HEXFET Power
Los MOSFET son bien conocidos, proporciona el diseñador
con un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso
en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todos
Aplicaciones comerciales-industriales en disipación de energía.
niveles a aproximadamente 50 vatios. La baja térmica
resistencia y bajo costo del paquete del TO-220
contribuir a su amplia aceptación en todo el
industria

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