2N5551 Transistor NPN 160V @ 600mA

Producto nº: AD57864
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Descripcion:

Este es el BC337, un BJT (transistor de unión bipolar) de silicio NPN. Este pequeño transistor puede ayudar en su proyecto al usarse para ayudar a impulsar grandes cargas o amplificar o conmutar aplicaciones. El BC337 está clasificado específicamente a 50 V y 800 mA máx.
 
Nota: El BC337 es un reemplazo directo del transistor P2N2222AEste es el BC337, un BJT (transistor de unión bipolar) de silicio NPN. Este pequeño transistor puede ayudar en su proyecto al usarse para ayudar a impulsar grandes cargas o amplificar o conmutar aplicaciones. El BC337 está clasificado específicamente a 50 V y 800 mA máx.

Este es el 2N5551, un BJT (transistor de unión bipolar) de silicio NPN. Este pequeño transistor puede ayudar en su proyecto al usarse para ayudar a impulsar grandes cargas o amplificar o conmutar aplicaciones. El 2N5551 está clasificado específicamente a 160V y 600mA máximo.

Características:

- NPN

- Voltaje Colector - Emisor: 160V

- Corriente continua coletor: 600mA

- hFE: 50 a 250 (para Ic = 0.1mA a 50mA)

- Encapsulado: TO-92

- Temperatura de operación: -55 a +150°C

Para más detalles ver hoja de datos: 2N5551 Datasheet.pdf (61215)