IRF830 MOSFET Potencia Canal-N

Producto nº: AD9064
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Disponibilidad: En existencia

Descripción:

Tercera generación HEXFET's de rectificadores proveen al diseñador la mejor combinación de rápida conmutación, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y y allta aficacia.

El encapsulado TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones industriales comerciales y disipación de potencia aproximada de 50 Watts. La baja resistencia interna térmica y bajo costo de encapsulado TO-220 contribuyen a la aceptación a nivel industrial.

Características:

- Vgs = 10V

- Id = 2.9A

- Idm = 18A

- Pd = 74W

Para más detalles ver hoja de datos: IRF830 Datasheet.pdf (182815)