IRF520N Transistor MOSFET Canal-N

Producto nº: AD3736
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Disponibilidad: En existencia

Caracteristicas:

Fabricante: IR

- Modelo: IRF520N

- Paquete / Cubierta: TO-220

- RoHS: Sí

- Polaridad del transistor N-Channel

Voltaje drenaje-fuente: 100 V

- Voltaje compuerta-fuente: 20 V

- Corriente continua de drenaje: 9,7 A

- Estilo de montaje: Through Hole

- Puerta de carga Qg: 16.7 nC

- Disipación de energía: 48 W

 
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